碳化矽肖特基二極管（SiC SBD）

芯塔電(diàn)子SiC SBD應用于電(diàn)源PFC、充電(dià慢算n)樁、光伏逆變器、微型逆變器、數據中(zhōng)心服務器電(dià哥器n)源、新能源汽車(chē)、儲能、UPS、工(gōng)業變頻(pín)拍物等領域。産品具有無反向恢複電(diàn)流、超高工(gōng唱姐)作頻(pín)率、正溫度系數的正向壓降新秒等優勢。SiC器件與Si器件相比開(kāi)關損耗降低低件30%以上，可提升整體(tǐ)系統效率2%以上。芯塔電匠場(diàn)子第五代SiC SBD基于自主開(kāi)發們關的XQ2.0技術平台，産品具有低正向壓降、高浪湧電(diàn的商)流和雪崩能力等技術優勢。

型号	阻斷電(diàn)壓（V）	額定電(diàn)流（A）	正向壓降（V）	封裝形式	總電(diàn)容電(diàn)荷（nC）
TD5G04065A	650	4	1.43	TO-220-2	11
TD5G04065L	650	4	1.43	DNF5*6	11
TD5G04065E	650	4	1.43	TO-252-2	11
TD5G04065M	650	4	1.43	DNF8*8	11
TD5G06065A	650	6	1.38	TO-220-2	22
TD5G06065E	650	6	1.38	TO-252-2	22
TD5G06065L	650	6	1.38	DNF5*6	22
TD5G06065M	650	6	1.38	DNF8*8	22
TD5G12065D	650	12	1.38	TO-247-3	22
TD5G08065A	650	8	1.4	TO-220-2	28
TD5G08065E	650	8	1.4	TO-252-2	36
TD5G08065L	650	8	1.4	DNF5*6	28
TD5G08065M	650	8	1.65	DFN 8*8	38
TD5G16065D	650	16	1.4	TO-247-3	28
TD5G10065A	650	10	1.41	TO-220-2	36
TD5G10065E	650	10	1.41	TO-252-2	36
TD5G10065L	650	10	1.41	DNF5*6	36
TD5G10065G	650	10	1.41	TO-263-2	36
TD5G15065A	650	15	1.42	TO-220-2	46
TD5G30065D	650	30	1.42	TO-247-3	46
TD5G20065A	650	20	1.41	TO-220-2	75
TD5G20065H	650	20	1.41	TO-247-2	75
TD5G40065D	650	40	1.41	TO-247-3	75
TD5G02120A	1200	2	1.41	TO-220-2	13
TD5G02120E	1200	2	1.41	TO-252-2	13
TD5G05120A	1200	5	1.41	TO-220-2	37
TD5G05120H	1200	5	1.41	TO-247-2	37
TD5G05120E	1200	5	1.4	TO-252-2	36
TG5G05120G	1200	5	1.4	TO-263-2	36
TD5G06120E	1200	6	1.47	TO-252-2	36
TD5G10120D	1200	10	1.41	TO-247-3	37
TD5G08120A	1200	8	1.48	TO-220-2	53
TD5G08120H	1200	8	1.75	TO-247-3	53
TD5G16120D	1200	16	1.48	TO-247-3	53
TD5G10120A	1200	10	1.48	TO-220-2	61
TD5G10120H	1200	10	1.48	TO-247-2	61
TD5G10120G	1200	10	1.48	TO-263-2	61
TD5G20120D	1200	20	1.48	TO-247-3	61
TD5G20120A	1200	20	1.47	TO-220-2	126
TD5G20120H	1200	20	1.47	TO-247-2	126
TD5G20120G	1200	20	1.47	TO-263-2	126
TD5G40120D	1200	40	1.47	TO-247-3	126
TD5G30120H	1200	30	1.48	TO-247-2	208
TD5G40120H	1200	40	1.5	TO-247-2	231
TD5G60120H	1200	60	1.65	TO-247-2	450