碳化矽金屬-氧化物(wù)半導體(tǐ)場效應晶體(tǐ)管（SiC MOS站放FET）

芯塔電(diàn)子SiC MOSFET應用于新能源汽車(chē)、工(gōn醫現g)業變頻(pín)、充電(diàn)樁、光伏逆變器、儲能、UPS等領域。舞快産品具有高耐壓、低導通電(diàn)阻、高可靠性、高開(kāi答線)關頻(pín)率的性能優勢。SiC器件與Si器件相比開(kāi)關頻(船說pín)率提高5倍以上，開(kāi)關損耗降低50%以上，體(t理年ǐ)統體(tǐ)積可減小(xiǎo)50%以上，新能源從對汽車(chē)電(diàn)機控制器中(zhōng)應用SiC器件續航裡程工海增加10%左右。芯塔電(diàn)子第二代自在坐主開(kāi)發的SiC MOSFET基于自主開(k暗信āi)發的XM 2.0技術平台，

型号 漏源電(diàn)壓（V） 導通電(diàn)阻（mΩ） 漏極電(diàn)流（A） 封裝形式 規格書(shū)
TM2G1000170J 1700 1000 5 TO-263-7
TM2G0650170D 1700 650 9 TO-247-3
TM2G0080120J 1200 80 42 TO-263-7
TM2G0080120K 1200 80 42 TO-247-4
TM2G0080120D 1200 80 42 TO-247-3
TM2G0040120K 1200 40 75 TO-247-4
TM2G0040120D 1200 40 75 TO-247-3
TM2G0060065K 650 60 27 TO-247-4
TM2G0060065J 650 60 27 TO-263-7
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