芯塔電(diàn)子SiC MOSFET應用于新能源汽車(ch日司ē)、工(gōng)業變頻(pín)、充電(diàn)樁、光伏逆變器、儲能、U去化PS等領域。産品具有高耐壓、低導通電(diàn)阻、高可靠性、高開裡冷(kāi)關頻(pín)率的性能優勢。SiC器件與Si器件相比開(kāi筆女)關頻(pín)率提高5倍以上，開(kāi)關損耗降低機票50%以上，體(tǐ)統體(tǐ)積可減小(xiǎo)50%以上，錯地新能源汽車(chē)電(diàn)機控制器中(zhōng錯朋)應用SiC器件續航裡程增加10%左右。錢站芯塔電(diàn)子第二代自主開(kāi)發的SiC MO麗冷SFET基于自主開(kāi)發的XM 2.0技術平台，