近日，芯塔電(diàn)子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器作場件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電(diàn)計量）全套AEC-Q101車(chē)規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V/20A TO-252-3封裝 SiC SBD産品在内，芯塔電(diàn)子已有兩款看道核心産品通過此項認證。本次認證成功通過，為芯塔電(diàn)子拓展新能源車(c市短hē)用市場奠定了堅實基礎。目前，芯塔電(diàn)子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業通過測試，已看吧進入批量導入階段。
芯塔電(diàn)子1200V/80mΩ SiC MOSFET車(chē)規級認證證書(shū)
AEC-Q作為國際通用的車(chē)規級電(d還可iàn)子元器件測試規範，目前已成為車(男可chē)用元器件質量與可靠性的标志(zhì)，更是打開(kāi)車(chē白間)載供應鍊的敲門磚和試金石。試驗項目包含如高溫反偏、溫度循環、高壓蒸煮、高加速應力、高公路溫高濕反偏等18項測試，每項都是針對車(chē)用分(fēn)立器件可能遭遇的紅醫環境來設計，用于驗證電(diàn)子元器件能否滿足各種玩些嚴苛的應用條件、能否經受住長期的高能量沖擊和去雪高頻(pín)率開(kāi)關。
芯塔電(diàn)子1200V/80mΩTO-263-7封裝器件及晶圓
随着新能源汽車(chē)800V高壓平台的大(dà)規模上車(chē)，SiC器件憑借其自身性能優勢進小民入了黃金賽道。芯塔電(diàn)子針對新能源汽車(chē)車(ch黑水ē)用場景推出了系列SiC應用方案，助力新能畫體源車(chē)企實現超級快充、降低系統成本、增加續航裡程以及實現輕量化等。
圖一(yī) 基于Si MOSFET的6.6kw OBC拓撲
圖1為基于Si MOSFET器件的6.6KW傳統電(diàn)路拓撲，前一(yī)級DC/DC為兩個BO照空OST PFC 交錯并聯，後面一(yī)級DC/DC為 LLC。圖2為基一湖于SiC MOSFET方案的電(diàn)路拓撲。低老前一(yī)級DC/DC為單個單相Totem Pole PFC，後一(y河能ī)級DC/DC為LLC。
圖二 基于SiC MOSFET的6.6kw OBC拓撲
對應前一(yī)級的PFC電(diàn)路，如果使用Si器件，開(kāi)關損耗高、功率器件溫度高月飛，因此單個單向PFC電(diàn)路功率有限，需要兩門自路PFC 交錯并聯來擴展功率。在後一(yī)級LLC電(diàn)路中(你門zhōng)，如果使用低壓Si MOSFET作為行服同步整流，無法支持高電(diàn)池電(diàn)壓（1000門請V）充電(diàn)，而使用1200V SiC MOSFET則員聽可以支持高壓電(diàn)池充電(diàn身生)。另外(wài)，SiC MOSFET體(tǐ)二極管反向恢複損耗遠低于Si MOSFET, 非常适合用于V2G功能的OBC。不僅媽的如此，SiC MOSFET使用還有助于提高OBC效率和功率密度頻房。
本次認證充分(fēn)體(tǐ)現了芯塔電(diàn)子碳化矽系列産品在可靠性方面的優異表現，使得芯塔電(diàn)子成為國内極少數多款碳化矽功率器件産品取得車(chē)規級認證的廠商(shāng)之一(yī)，為下(xià)遊車(chē)企及T1客戶選擇提供了權威參考，同時也标志(zhì)着芯塔電(diàn)子已邁入國内領先的碳化矽器件及應用方案品牌供應商(shāng)行列。未來,芯塔電(diàn)子将持續聚焦可再生(shēng)議空能源、工(gōng)業應用和新能源汽車(ch事低ē)領域，以高性能、高可靠性的産品和創新應用方案，持續為客戶創造價值。
