近日，芯塔電(diàn)子正式發布間美自主研發的1700V/5Ω SiC MOSFET産品。此舉進一個坐(yī)步豐富了公司SiC産品系列，也是芯塔電(diàn)子在寬禁帶半導體(t不村ǐ)功率器件國産化方面的又(yòu)一(yī)關鍵裡銀不程碑。
該産品針對高端汽場都車(chē)級應用而開(kāi)發，擊穿電(diàn)飛上壓達到2300V，18V驅動下(xià)Rdson的典型值5Ω線雪，15V驅動下(xià)典型值為7Ω。産品在開(kāi)發過程中(z內河hōng)，研發團隊通過改進MOS可靠性，提高了器件的阈值電(diàn)睡很壓，并做了很多優化設計和餘量設計，使之更能水快勝任新能源汽車(chē)領域的應用需求。同時，産品具有更小(xiǎo金動)的芯片尺寸，可以有效幫助客戶減少成本。
芯塔電(diàn)子1700V/5Ω SiC MOS草站FET的高耐壓簡化了應用電(diàn)路，提升了應用方案的可靠性，大(廠鄉dà)幅降低了系統成本。同時，SiC MOS市什FET極小(xiǎo)漏電(diàn)流讓客戶大(dà)幅電謝度提升應用性能。得益于芯塔電(diàn)子國産化供應鍊保障，産品的成本及供讀爸貨更具優勢和競争力，目前已獲多家客戶訂單。笑離
芯塔電(diàn)子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車(chē)電(diàn)池電(diàn)壓檢測和絕緣監測。該著東應用場景中(zhōng)，使用碳化矽方案可以有效提升光耦繼電(diàn)器整體計外(tǐ)性能，使之響應速度更快、體(tǐ)積縮小(xiǎo)、壽命延長等，樂畫對提升車(chē)輛電(diàn)源系統整體(tǐ)效司那能、可靠性及安全性有着重要意義。同時，該産品也為公司北得光耦繼電(diàn)器合作商(shāng)邁向80這器0V高端新能源汽車(chē)市場提供強大(dà)賦能和雨分支持。
芯塔電(dià電舊n)子團隊深耕寬禁帶功率半導體(tǐ)領域多年，已從人才現我儲備、技術研發、平台建設、供應鍊保障、質量管控等方面們輛做好全方位戰略布局，始終瞄準國際技術最前沿爸很，以提供國際一(yī)流的國産化碳化矽功但現率芯片為己任，助力實現國家“雙碳”戰略的宏偉目标。芯塔電(diàn)子玩吃憑借自己綜合實力，已經成功進入國内第一(yī)梯關見隊碳化矽供應商(shāng)！
