日本瑞薩投資(zī)900億日元用于甲府工(gōng)廠

日本瑞薩5月18日宣布，将對其位于甲府的甲府工(gōng)廠進行價值900億日元的投資(zī)。他們指出，雖然工(gōng)廠于2014年10月關閉，但瑞薩電(diàn)子計劃在2024年重新開(kāi)放(fàng)該工(gōng)廠，作為能夠制造IGBT和功率MOSFET的300毫米功率半導體(tǐ)晶圓廠。瑞薩表示，随着碳中(zhōng)和勢頭的增長近制，預計全球對供應和管理電(diàn)力的高效功西亮率半導體(tǐ)的需求将在全球範圍内急劇增加。瑞薩特别預計電(di行玩àn)動汽車(chē)(EV)的需求将快速增長，因此計劃提高其IGBT等功率半導體(tǐ)的産能，為脫碳做出貢獻。

安世半導體(tǐ)與京瓷展開(kāi)三代半合作

5月19日，Nexperia（安世半導體(tǐ)）官網發文稱，他們将和日本京瓷集團子公司KYOCERA AVX Components Salzburg，就氮化镓汽車(chē)電(diàn)源模塊達成合作夥問慢伴關系，旨在開(kāi)發用于電(diàn)動汽車(chē)亮又的GaN功率組件。此次，京瓷集團的基闆技術有望為開(kāi)發車(chē秒事)規級氮化镓功率模塊提供助力，京瓷的多層氮化矽陶瓷覆銅算謝基闆技術已經在車(chē)規級IGBT方面應用廣泛。

信越化學宣布擴大(dà)GaN量産系統

5月18日，全球第一(yī)大(dà)半導體(tǐ)矽片廠商(shā畫玩ng)信越化學（Shin-Etsu Chemical）官網宣布，他們将擴大(dà)其GaN量産系統，加速氮化镓外(wài)延生(shēng)長襯底的商(sh外你āng)業化。信越表示，他們在2019年與美國Qromis開(kāi)展了第一(yī)次合作，雙方就制造GaN襯底材料的專利Qromis Substrate Tec林資hnology(QST™)簽訂了許可協議。信越負責生(shēng)産QST襯底和GaN-on-QST外(wài)延晶片，并借助QST補充其現有的GaN-on-Si産品陣容。而在信越此次的擴産中(zhōng)，它将與Qromis繼續展開(kāi)深入合作，通過其專有技術改進6吋和8吋的QST襯底供應系統，要将産量翻倍，以滿足市場快速增長的需求。

Marelli宣布為标緻運動提供SiC解決方案

5月16日，Marelli官網宣布，他們将為Peugeot Sports（标緻運動）的9X8超級跑車(chē)提供基于碳化矽逆變器的工知上(gōng)程設計和供應等。Marelli是意大(dà)利設備制造商(shāng)，2018年被日本Calsonic Kansei收購。此次Marelli标緻與合作，Calsonic将提供高性能電(diàn)動機和基于碳化矽的逆變器，而開票時(kāi)發的重點是最大(dà)限度地提高系統坐師的效率和可靠性。